射频前端基准电流源低电压抗电磁干扰设计

中国民航大学学报

射频前端基准电流源低电压抗电磁干扰设计

白会新^a，马振洋^b，王志武^a，杨可^a，曾佩佩^a

（中国民航大学a.工程技术训练中心；b.天津市民用航空器适航与维修重点实验室，天津300300）

收稿日期:2017-01-12 修回日期:2017-03-13 出版日期:2017-08-25 发布日期:2017-11-08
作者简介:白会新（1990—），女，河北承德人，助理工程师，硕士，研究方向为电路系统设计和实验技术研究.
基金资助:
国家自然科学基金项目（61601468）；中国民用航空局科技创新引导资金项目（20150227）；中国民航大学实验技术创新基金项目（2016SYCX30）

Design of low-voltage current reference circuit in RF front-end with high electromagnetic interference immunity

BAI Huixin^a, MA Zhenyang^b, WANG Zhiwu^a, YANG Ke^a, ZENG Peipei^a

(a. Engineering Techniques Training Center; b. Civil Aircraft Airworthiness and Maintenance Key Lab of Tianjin, CAUC, Tianjin 300300, China)

Received:2017-01-12 Revised:2017-03-13 Online:2017-08-25 Published:2017-11-08

摘要/Abstract

摘要：

基于CMOS 体驱动，提出低电压基准电流源电路抗干扰设计，提高航管一次雷达射频前端接收电路的可靠性。电路采用体驱动技术实现低电源电压工作，采用敏感隔离结构提高电流镜电路抗干扰性能。设计采用电源电压为1 V的0.35 μm 标准CMOS 工艺，对该基准电流源电路的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证，并同普通体驱动结构相比较。实验结果表明：当输入端存在3 倍于参考电流大小的电磁干扰时，该结构的电流偏移小于0.3 μA。

关键词: CMOS 体驱动, 低电压, 基准电流源, 敏感隔离, 抗干扰

Abstract:

Based on CMOS bulk-driven structure, a low-voltage current reference circuit with high electromagnetic interference (EMI)immunity is proposed, improving the reliability of RF front-end receiver circuit in primary surveillance radar. In the circuit, bulk-driven structure realizes low-voltage supply and sensitive isolation structure improves EMI immunity. The design is implemented in a 0.35 μm standard CMOS process using 1V power supply. Theoretical analysis and simulation results for EMI robustness are presented and compared with the classical bulk-driven structure. Results show that the current shift of the proposed design is less than 0.3 μA when a 3 times of EMI referred to the reference current is presented in the input.

Key words: CMOS bulk-driven, low-voltage, current reference, sensitive isolation, EMI immunity

中图分类号:

V243.2
TN432

白会新，马振洋，王志武，杨可，曾佩佩. 射频前端基准电流源低电压抗电磁干扰设计[J]. 中国民航大学学报.

BAI Huixin, MA Zhenyang, WANG Zhiwu, YANG Ke, ZENG Peipei. Design of low-voltage current reference circuit in RF front-end with high electromagnetic interference immunity[J]. .

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